PCM的技术基础

一位可变
如同RAM或EEPROM，PCM复用设备可变的最小单元是一位。闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤。而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤，可直接由1变为0或由0变为1。
非易失性
相变存储器如NOR闪存与NAND闪存一样是非易失性的存储器。RAM需要稳定的供电来维持信号，如电池支持。DRAM也有称为软错误的缺点，由微粒或外界辐射导致的随机位损坏。早期Intel进行的兆比特PCM存储阵列能够保存大量数据，该实验结果表明PCM复用设备具有良好的非易失性。

读取速度
如同RAM和NOR闪存，PCM复用设备技术具有随机存储速度快的特点。这使得存储器中的代码可以直接执行，无需中间拷贝到RAM。PCM复用设备读取反应时间与最小单元一比特的NOR闪存相当，而它的的带宽可以媲美DRAM。相对的，NAND闪存因随机存储时间长达几十微秒，无法完成代码的直接执行。

写入/擦除速度
PCM复用设备能够达到如同NAND的写入速度，但是PCM复用设备的反应时间更短，且无需单独的擦除步骤。NOR闪存具有稳定的写入速度，但是擦除时间较长。PCM同RAM一样无需单独擦除步骤，但是写入速度（带宽和反应时间）不及RAM。随着PCM复用设备技术的不断发展，存储单元缩减，PCM复用设备将不断被完善。
缩放比例
缩放比例是PCM复用设备的第五个不同点。NOR和NAND存储器的结构导致存储器很难缩小体型。这是因为门电路的厚度是一定的，它需要多于10V的供电，CMOS逻辑门需要1V或更少。这种缩小通常被成为摩尔定律，存储器每缩小一代其密集程度提高一倍。随着存储单元的缩小，GST材料的体积也在缩小，这使得PCM复用设备具有缩放性。

结论
相变存储器是一种很有发展前景的存储技术，近年来再次引起了研究人员的注意。相变存储器利用可逆的相变现象，通过两相间的阻抗差异来存储信息。Numonyx的早期工作和取得的进展，将该技术推向了可读写存储领域的前沿。相变存储器集成了NOR闪存、NAND闪存、EEPROM和RAM的特性于一体，这些功能连同存储系统低耗用的潜能，将能够在广泛地创造出新的应用和存储架构。